朱敏教授课题组首次揭示双向阈值开关“材料基因”和电荷触发开关机制
3月2日,bevictor伟德官网朱敏教授课题组联合中科院上海微系统所宋志棠研究员、英国剑桥大学Stephen R. Elliott教授、日本群马大学Tamihiro Gotoh教授、亚琛工业大学Richard Dronskowski教授、中科院高等研究院章辉副研究员等人,在三维高密度存储技术领域取得重要突破,首次发现双向阈值开关(Ovonic threshold switch, OTS)器件的“材料基因”-单质硒,以此揭示OTS的电荷触发开关机制,并最终实现开关-存储单元的三维垂直集成。相关研究以“Charge-Triggered Switching Mechanism in Selenium Selector Enabling Ultralow Leakage Current”为题发表于国际期刊《Nature Materials》上。
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